硅。焕新升级。
SuperQ®功率MOSFET将突破性的效率与硅材料久经考验的成本结构、可靠性及供应链稳定性相结合。
- 更高效率：导通损耗降低高达50%，发热量大幅减少。
- 设计兼容性：可采用标准的硅封装、栅极驱动器及布局方案。
- 更低的系统成本：降低散热要求、元器件数量及制造复杂度。
为什么选择 SuperQ?
低导通电阻 RDS(on)
同等封装下，行业领先的低导通电阻可降低导通损耗、减少发热，并减少所需的并联器件数量。
更低的开关损耗
提高系统效率、减少发热，并支持更高频率的运行。
高耐受性与可靠性
出色的短路耐受能力，加上生产过程中对每个器件进行的非钳位感性开关（UIS）测试，可提供更大的设计裕量。
优化成本与性能
SuperQ 产品采用更简化的制造流程，实现成本与性能的优化。
SuperQ
为赋能全球电源系统而设计
SuperQ MOSFETs 在广泛的应用中均能带来可观的性能提升——从电机驱动和机器人技术到数据中心、可再生能源和先进的电源系统。
精选 SuperQ MOSFET产品
查看所有 SuperQ 产品
突破背后的技术
SuperQ 是 iDEAL Semiconductor 专有的功率器件架构，可显著增加导通面积并降低电阻。其结果是：在标准硅器件的外形尺寸和电压条件下，实现更低温、更快速、更高效的功率转换。
为什么选择iDEAL
iDEAL的核心优势
- 突破性的卓越性能，尽享成本优势
- 采用经过验证的硅工艺制造→供应链稳定
- 行业标准驱动器和封装→缩短产品上市时间
- 超越AEC-Q101标准的卓越可靠性
- 采用可扩展的技术路线图，助力每一代产品实现重大效率改进
