SuperQ® 能为隔离式 DC-DC 转换器带来什么
系统损耗降低12%
- 最高可节省 2W 功耗
- 31°C 散热型 MOSFET
SuperQ 能够降低损耗、运行温度更低、支持更高电压（150V–300V），且所需 MOSFET 数量更少，从而实现更高的功率密度。
8.8mΩ
200V下，在PDFN封装中实现超低RDS(on)
30°C
开关运行温度更低
Eoss (输出电容储能)
高输入电压下实现更高效率
150V 至 300V
优化的电压范围
低 QSW
支持更高开关频率（最高达1MHz）
175°C
高结温（TJ）能力，出色的SCWC表现
SuperQ 系统优势 200W 隔离式直流-直流转换器 主动钳位正向型
|
SuperQ
iS15M7R1S1C |
120V 原方案
MOSFET（×2） |
150V 竞品
MOSFET |
|
|---|---|---|---|
| BVDSS (V) | 150 | 120 | 150 |
| RDS(on),TYP (mΩ) | 5.4 | 9.6 | 5.0 |
| QSW (nC) | 4.9 | 6.8 | 15.9 |
| EOSS (µJ) | 1 | 1.3 | 4.1 |
|
主功率 FET 热性能 （最高温度 °C） |
120.5 | 133.0 | 151.5 |
| 主功率 FET 数量（个） | 1 | 2 | 1 |
SuperQ = 超级
清凉
✓ 温度最多降低 31°C
✓ MOSFET 数量较原方案减半
SuperQ MOSFET 可降低开关损耗， 以更少的器件实现更高效率和更低运行温度。
开关损耗
↓
较低的 QSW 可降低
开关损耗。
电容损耗
↓
较低的 EOSS 可降低
开通损耗。
器件数量
↓
降低物料清单（BOM）成本，
节省 PCB 空间。
SuperQ 在隔离式 DC-DC 拓扑中的应用
主动夹具（向前）
半桥
全桥
SuperQ MOSFETs 适用于高功率密度隔离式 DC-DC 转换器，包括 48 V 至 12 V 中间总线转换器、车载电源和辅助电源轨。
为您的DC-DC架构选择合适的SuperQ
| 精选 150V MOSFET | |||
|---|---|---|---|
| 最大 RDS(on) | 型号 | QSW (nC) | ID (A) |
| 5.5mΩ | iS15M5R5S1C | 5.4 | 140 |
| 6.4mΩ | iS15M7R1S1C | 4.9 | 133 |
| 8.8mΩ | iS15M8R8S1C | 3.6 | 88 |
| 精选 150V 逻辑电平 MOSFET | |||
| 最大 RDS(on) | 型号 | QSW (nC) | ID (A) |
| 5.5mΩ | iS15L5R5S1C | 5 | 134 |
| 6.0mΩ | iS15L6R0S1C | 4.9 | 126 |
| 8.8mΩ | iS15L8R8S1C | 3 | 80 |
| 精选 200V MOSFET | |||
| 最大 RDS(on) | 型号 | QSW (nC) | ID (A) |
| 8.8mΩ | iS20M8R8S1C | 3 | 113 |
| 16mΩ | iS20M016S1C | 3 | 62 |
| 25mΩ | iS20M028S1C | 2.5 | 45 |
| 精选 250V MOSFET | |||
| 最大 RDS(on) | 型号 | QSW (nC) | ID (A) |
| 35mΩ | iS25M035S1C | 2.7 | 39 |
| 精选 300V MOSFET | |||
| 最大 RDS(on) | 型号 | QSW (nC) | ID (A) |
| 35mΩ | iS30M035S1C | 2.7 | 39 |
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