SuperQ® 能为隔离型DC-DC转换器带来哪些价值？
现代隔离型DC-DC功率级正面临前所未有的挑战：更高的母线电压、更高的电流密度、更严格的EMI限制，以及风流更少的更小外壳空间。
无论您设计的是48V转12V中间总线转换器、隔离式电池到负载导轨，还是紧凑型辅助电源，效率和稳健性都很快会成为限制因素。
SuperQ MOSFETs 可降低开关损耗、支持更高电压（150V至300V），并减少所需FET数量，从而实现更高的功率密度。
8.8mΩ
200V下，在PDFN封装中实现超低RDS(on)
30°C
开关运行温度更低
Eoss (输出电容储能)
高输入电压下实现更高效率
150V 至 300V
优化的电压范围
低 QSW
支持更高开关频率（最高达1MHz）
175°C
高结温（TJ）能力，出色的SCWC表现
隔离型DC-DC电路框图
有源钳位正激
半桥
全桥
SuperQ MOSFETs 适用于高功率密度的隔离型DC-DC应用，包括48V转12V中间总线转换器、板载电源及辅助供电轨。
为什么选择 SuperQ?
SuperQ MOSFETs 可降低导通损耗与开关损耗，让设计人员用更少的器件实现更高效率、更低运行温度。
- 高电流下效率更高——效率提升可达0.8%
- 散热表现更佳——温度降低31°C
- 损耗更低——降低35%至50%
- 业内最佳的性价比
| iS15M7R1S1C | 150V竞品MOSFET | SuperQ 的提升幅度 |
|
|---|---|---|---|
| BVDSS (V) | 150V | 150V | - |
| RDS(ON),MAX (mΩ) | 6.4 | 5.5 | 1.16倍 |
| QSW (nC) | 4.9 | 15.9 | 2.86倍 |
| EOSS (75V) (µJ) | 1 | 4.1 | 3.4倍 |
| 散热表现*（最高温度，°C） | 120.5 | 151.5 | 31°C cooler |
* Primary FET (48Vin, 12Vout, 17Aout, no air flow)
