原子层面的科学与工程
二十多年来，功率MOSFET的基本结构几乎未曾改变。iDEAL半导体在原子层面上重新定义了这一结构——创造出一种突破性的架构，在效率、电阻以及性价比方面树立了全新标杆。
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原子层面的科学与工程
二十多年来，功率MOSFET的基本结构几乎未曾改变。iDEAL半导体在原子层面上重新定义了这一结构——创造出一种突破性的架构，在效率、电阻以及性价比方面树立了全新标杆。
SuperQ?是什么？
SuperQ 是一种先进的RESURF（减小表面电场）硅基功率MOSFET架构，能够大幅增加导电面积并降低损耗——在提供显著性能提升的同时，完整保留了硅基器件久经考验的可靠性、可制造性和供应链稳定性。
- 相比领先的硅基竞品，导通电阻降低高达3.3倍
- 更低的开关损耗和导通损耗→发热量减少
- 与现有硅基器件封装引脚兼容（包括栅极驱动电路等配套因素）
SuperQ 的价值主张
SuperQ 的价值主张
低比导通电阻
SuperQ 提供业内
同封装同耐压等级下
最低的比导通电阻值
极低的开关损耗
SuperQ 提供业内开关性能顶尖的硅基 MOS 管
高耐冲击性与可靠性
SuperQ具有优异的短路耐受能力，量产全检 UIS雪崩测试
极优的性价比
SuperQ 采用更简洁的制造工艺流程，实现成本与性能的最优平衡
SuperQ架构内部解析
当业界竞相采用昂贵的材料来寻求性能突破时，iDEAL选择在功率器件的原子层面开展创新，从而解锁了更高的效率和更出色的高压性能——而且全部基于硅材料实现。
SuperQ架构
iDEAL专有的SuperQ技术能够全面提升各类功率半导体器件的性能。
该技术将硅材料的利用率从50%提升至95%，实现了创纪录的比导通电阻（Rsp）和超低开关损耗，并且全部在类CMOS的工艺流程上完成。SuperQ技术非常适合高频设计，能够实现更低的结温和更小的散热器尺寸。
非对称电荷平衡沟槽
传统功率器件架构在实际应用中存在固有局限——N型导电区仅占整体结构的50%，其余50%用于耐压阻断，无法参与导电。iDEAL发明了一种电荷平衡方法，其厚度可薄至整体结构的5%。这为导电区域释放了更多空间，从而显著提升了效率。
减薄外延层
我们最先进的沟槽技术SuperQ实现了近乎理想的电荷平衡，由此减薄外延层，并获得更优异的性能指标。
更高的掺杂浓度
SuperQ技术凭借其卓越的电压阻断效率，允许在导电区域采用更高的掺杂浓度。掺杂浓度的提升进一步降低了沟道电阻，从而减少了功率损耗。
应用领域
我们的技术覆盖60V至1200V的电压范围，广泛应用于数据中心、USB PD快速充电、电机驱动、电动汽车、可再生能源阵列、电动自行车、医疗系统和家用电器等领域。
开始使用SuperQ进行设计
我们的工程团队可以帮助您评估SuperQ器件、审核您的设计需求，并为您的应用推荐合适的产品。
