What Can SuperQ® 能为数据中心带来哪些价值？
数据中心目前约占全球电力消耗的1.5%–2%，据国际能源署（IEA）预测，到2030年全球数据中心用电需求可能接近每年1拍瓦时（PWh）——这一增长主要由AI算力加速、超大规模基础设施扩张以及高性能计算负载所驱动。
随着工作负载不断扩大提升，效率已成为一项硬性约束。80 PLUS®、ENERGY STAR®等标准以及各OEM厂商的能效要求，如今对电源转换的每一个环节都提出了严格审视。
SuperQ MOSFET可实现更高的单器件电流、更低的导通损耗，以及更出色的瞬态稳健性，从而打造更小、更凉、更经济的数据中心功率电源级。
5.5mΩ
PDFN 5x6封装中业内最低的RDS(on)
0.8V
低体二极管正向压降，降低损耗
1.1Ω
低RG与出色的电荷比例，可消除误开通导通问题
低 COSS
业内最低的Coss，改善EMI表现
低 QRR
降低功率损耗并减少过冲
>700A
高短路稳态功耗能力（SCWC）SCWC，具备极强的稳健性
认识 SuperQ®
全新一代功率效率标准
我们专有的 SuperQ 沟槽架构将硅利用率提升一倍（从约50%提升至95%），同时实现：
- 业内最佳的单位面积电阻表现
- 导通与开关损耗的大幅改善
- 无需承担转向宽禁带材料的成本，即可实现硅基器件性能的跨越式提升
SuperQ MOSFETs 以硅基器件的成本、规模化生产能力和设计便利性，实现了媲美宽禁带器件的效率水平——非常适合大批量服务器平台的需求。
iDEAL——48V AI电源架构的理想之选
从1.4kW到10kW以上的机架，SuperQ都非常适合以下应用：
- LLC 及移相全桥拓扑
- 升压级与电池备份单元（BBU）
- AI 及超大规模平台中的高效多电平PFC
- 48V 转 12V中间总线转换器
数据中心电路框图
数据中心电路框图
(中心抽头式PSFB)
(全波同步整流式PSFB)
(中心抽头式LLCFB)
SuperQ MOSFETs 适用于高功率密度数据中心
为什么选择 SuperQ?
SuperQ 兼具低损耗与出色的散热表现，可实现:
- 每个封装最低的电阻
- 更高的效率与功率密度
- 业内最佳的性价比
从前端PFC到DC/DC电源转换，SuperQ都能提升数据中心电源级的效率，并降低设计复杂度。
更低的电源（PSU）功率损耗
更低的运营支出
更佳的散热特性
更高的功率密度
成熟的硅基供应链
更低成本，采购更便捷
