iS20M016S1H

SuperQ 200V N-Channel Power MOSFET

D2PAK-7L package diagram
D2PAK-7L
iS20M016S1H 的库存
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Features

特性

D2PAK-7L 封装中具有低 RDS(on) 值
高短路耐受能力
(SCWC)
生产过程中经过100% UIS测试
低开关损耗、QSW和EOSS
栅极阈值容差为±0.5V,更易于并联

Applications

应用

电机控制
升压转换器和开关电源控制场效应管(FET)
D类音频
电池管理系统

Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 16
ID 61 A
IDM 227 A
QG 29 nC
QSW 3 nC
EOSS 1.5 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 2 V
PD 150 W
TJ,Tstg 175 °C
EAS 209 mJ
RθJC 1 °C/W
联系我们
Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 16
ID 61 A
IDM 227 A
QG 29 nC
QSW 3 nC
EOSS 1.5 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 2 V
PD 150 W
TJ,Tstg 175 °C
EAS 209 mJ
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