新款 SuperQ® 200V MOSFET 在多种行业标准功率封装中实现了业界最低的 RDS(on)。
宾夕法尼亚州利哈伊谷，2026年3月——iDEAL Semiconductor宣布扩展其SuperQ® 200V MOSFET产品组合，在最广泛使用的功率半导体封装中实现了业界领先的导通电阻。
iS20M5R5S1T作为业界RDS(on) 200V MOSFET，树立了新标杆；而新推出的 iS20M6R3S1P 则在 TO-220 封装中实现了 200V MOSFET 的最低 RDS(on)。 这些器件共同为表面贴装和通孔功率设计提供了无与伦比的效率和灵活性。
iS20M5R5S1T 在紧凑的 TOLL 封装中实现了仅 5.5mΩ 的最大 RDS(on)，可在空间受限的设计中实现更高的功率密度并降低导通损耗。 与之相辅相成的是，iS20M6R3S1P 采用坚固耐用的 TO-220 封装，最大 RDS(on) 仅为 6.3mΩ，在偏好通孔组装、机械安装或直接散热的应用中，为设计人员提供业界领先的效率。
在此系列产品发布的基础上，iDEAL Semiconductor 计划于 2026 年下半年将 200V、5.5mΩ SuperQ 性能基准扩展至更多行业标准封装，包括：
- D2PAK-7L (iS20M5R5S1H) – 针对大电流表面贴装设计进行了优化，具备增强的热性能和机械强度
- TOLT (iS20M5R5S1TC) – 针对超紧凑、高功率密度的布局进行了优化，并具备顶面散热能力，适用于下一代电源系统
这些 SuperQ 200V 器件专门针对要求严苛的电机驱动应用而设计，在这些应用中，效率、可靠性和容错能力至关重要。
对电机驱动设计至关重要的关键特性包括：
- 业界领先的短路耐受电流 (SCWC)
- ±0.5V VGS(th) 使并联更简便
- 175°C 工业级温度等级
- 业界领先的电流处理能力：151A（TOLL）和 172A（TO-220）
- 量产过程中经过雪崩额定、100% UIS测试
除了电机驱动器外，这些器件还用于开关模式电源 (SMPS)、次级侧同步整流以及大电流工业和电池供电系统，在这些应用中，效率、热性能和鲁棒性至关重要。
“通过在标准功率封装中实现业界最低的导通电阻，我们的 SuperQ 技术能够提升效率、提高功率密度，并简化系统设计，”iDEAL Semiconductor 首席执行官兼创始人 Mark Granahan 表示。
供货情况
iS20M5R5S1T 和 iS20M6R3S1P 已进入量产阶段，可通过 iDEAL 的全球分销渠道订购。
iS20M5R5S1H（D2PAK-7L）和 iS20M5R5S1TC（TOLT）目前处于样品阶段，计划于 2026 年下半年正式投产。
数据手册及其他技术信息请访问 idealsemi.com/products/
设计人员可访问 idealsemi.com/contact-us/ 订阅，以便在更多 SuperQ® 器件和封装选项发布时收到通知。
关于 iDEAL Semiconductor
iDEAL Semiconductor Devices, Inc. 是业界领先的下一代硅功率器件开发商。
公司成立的使命是突破人们对硅材料性能的固有认知。其获得专利的 SuperQ 技术利用传统的 CMOS 工艺实现了突破性的能效，同时保留了硅材料久经考验的优势。
该平台技术适用于广泛的产品、应用和半导体材料，专为降低各类应用中的功耗而设计，旨在为下一代技术实现更环保的能源使用。
iDEAL 总部位于宾夕法尼亚州利哈伊谷，如需了解更多信息，请访问 www.idealsemi.com
媒体联系
艾玛·詹金斯 (Emma Jenkins)
[email protected]
技术概要
SuperQ® 200V MOSFET 产品系列在广泛使用的功率封装中树立了新的 RDS(on) 性能基准。
关键电气特性
- 额定电压 (VDS)：200V
- RDS(on)：
- 最大 5.5mΩ（iS20M5R5S1T，TOLL）
- 最大 6.3mΩ（iS20M6R3S1P，TO-220）
- 电流能力：
- 151A（TOLL）
- 172A（TO-220）
- 工作温度：175°C
- 雪崩额定
- 生产过程中已通过100% UIS测试
- ±0.5 V VGS(th)，便于并联
- 高短路耐受电流 (SCWC)
目标应用
主要应用：
- 电机驱动器和电机控制系统
次要应用：
- 升压转换器
- 开关模式电源（SMPS）
- 次级侧同步整流
- 大电流工业系统
- 电池供电的功率级
常见问题
目前市面上采用TOLL封装的200V MOSFET中，RDS(on)值最低的是哪一款？
iS20M5R5S1T 采用行业标准的 TOLL 封装，在 200V 时最大 RDS(on) 为 5.5mΩ。
TO-220 封装中，200V MOSFET 的最低 RDS(on) 是多少？
iS20M6R3S1P 采用标准 TO-220 封装，在 200V 工作电压下最大 RDS(on) 为 6.3mΩ。
这些 200V MOSFET 是否专为电机驱动设计？
是的。SuperQ 200V产品系列专为电机驱动应用进行了优化，具有高SCWC、175°C额定温度、雪崩耐受能力以及100% UIS测试等特性。
针对这一性能范围，还计划推出哪些其他200V MOSFET封装？
iDEAL Semiconductor计划推出：
- D2PAK-7L（iS20M5R5S1H）
- TOLT (iS20M5R5S1TC)，具备顶面散热能力
SuperQ 与传统硅 MOSFET 的区别是什么？
SuperQ 技术通过重新设计硅结构，在保持与传统 CMOS 制造工艺及标准功率封装兼容性的同时，有效降低了导通损耗。