宾夕法尼亚州利哈伊谷，2025年9月4日——iDEAL Semiconductor宣布，其基于SuperQ®技术的200 V系列MOSFET中的首款产品已进入量产阶段，另有四款200 V器件目前正在提供样品。
SuperQ 是硅 MOSFET 技术 25 多年来首次取得重大突破，突破了开关和导通性能方面的长期限制。它在保持硅材料核心优势——坚固耐用、可大规模量产以及在 175 °C 条件下经过验证的可靠性——的同时，实现了性能和效率的飞跃式提升。
首款实现量产的200 V器件iS20M028S1P是一款采用TO-220封装的25 mΩ MOSFET。 iDEAL 电阻值最低的 200 V 器件目前已提供 TOLL 和 D²PAK-7L 封装的样品，其最大 RDS(on) 值仅为 5.5 mΩ。 这树立了新的性能基准，其电阻值比当前市场领先产品低 1.2 倍，比排名第二的竞争对手低 1.7 倍。
“通过将SuperQ扩展至200 V，iDEAL证明了硅材料领域的创新远未结束，”iDEAL Semiconductor首席执行官兼创始人马克·格拉纳汉表示。 “这些成果表明，我们既能实现最低电阻和卓越的开关性能，又能保持硅材料的可制造性、可靠性和成本优势。这对我们公司以及希望提升效率的客户而言，都是一个重要的里程碑。”
200 V SuperQ 系列的主要应用领域包括电机驱动、LED 照明、电池保护、AI 服务器、隔离式 DC/DC 电源模块、USB-PD 适配器以及太阳能领域。随着相关器件已投入量产且行业领先的样品现已提供，iDEAL 正加速与高增长电源市场中各客户的合作。
如需了解详细规格以及可用的完整部件编号列表（包括 5.5 mΩ 采样器件），请访问 www.idealsemi.com。
关于 iDEAL Semiconductor
iDEAL Semiconductor Devices, Inc. 是业内领先的下一代硅功率器件开发商。
该公司成立时的使命是突破人们对硅材料的固有认知。其获得专利的SuperQ技术利用传统的CMOS工艺实现了能效的突破性提升——同时保留了硅材料久经考验的优势。
该平台技术适用于广泛的产品、应用和半导体材料，专为降低各类应用中的功耗而设计，并将为下一代提供更环保的能源使用方案。
iDEAL 总部位于宾夕法尼亚州的利哈伊谷，如需了解更多信息，请访问 idealsemi.com。