宾夕法尼亚州利哈伊谷，2025年7月17日——iDEAL Semiconductor公司的SuperQ®技术已进入全面量产阶段，首批产品为150 V MOSFET。200 V MOSFET产品系列目前正在提供样品。
SuperQ 是硅 MOSFET 设计领域在超过四分之一世纪以来取得的首次重大突破，为硅功率器件带来了无与伦比的性能和效率。 该架构突破了硅材料在开关和导通方面的根本性限制。它将 n 型导通区面积几乎扩大了一倍（最高可达 95%），并与同类器件相比，将开关损耗降低了多达 2.1 倍。
该结构在保持硅材料优势（包括坚固耐用、大规模可制造性以及在175°C结温下的可靠性能）的同时，还降低了电阻和功耗。
iDEAL 150 V MOSFET 系列的首款产品 iS15M7R1S1C 是一款 6.4 mΩ MOSFET。该产品现已上市，采用 5 x 6 mm PDFN 封装。该 SMT 封装带有外露引脚，可简化组装流程并提高电路板级可靠性。
200 V 产品系列包括 iS20M6R1S1T，这是一款采用 11.5 x 9.7 mm TOLL 封装、RDSon 为 6.1 mΩ 的 MOSFET。 该器件的RDSon为6.1 mΩ，比当前业界领先产品低10%，比排名第二的竞争对手低36%。该公司还提供采用TOLL、TO-220、D2PAK-7L和PDFN封装的200 V MOSFET样品。
300 V 和 400 V MOSFET 平台即将推出——这些电压等级目前尚未得到现有硅基技术的充分支持。iDEAL 即将推出的器件旨在提供比现有解决方案低得多的电阻，为效率和性能开辟新的可能性。
“过去四分之一世纪以来，该行业一直依赖超级结（Superjunction）等减小表面场（RESURF）技术，但这些架构的性能已趋于停滞。 为了在功率输出和效率方面实现必要的提升，我们需要一种新的架构，而SuperQ正是这样的架构，”iDEAL Semiconductor首席执行官兼联合创始人马克·格拉纳汉表示。
“市场对高性能电源解决方案的需求从未如此强烈。SuperQ 将助力新兴关键应用的发展，涵盖工业自动化、人工智能数据中心以及全球电气化趋势等领域。 今天，iDEAL 宣布为 150V–400V 电压范围内的设计人员工具箱带来前所未有的成本与性能比。”
这项创新技术专为MOSFET、IGBT、二极管、功率集成电路，乃至未来的半导体材料而设计，使SuperQ成为下一代电力电子技术的基础性技术。
iDEAL的硅功率器件均在美国进行研发、设计和制造。 这些器件提供多种符合行业标准、可直接替换的封装形式，包括 TO-220、ITO-220、TO-247、D2PAK-3L、D2PAK-7L、DPAK、TOLL、TOLT 和 PDFN 5x6。 这些产品专为广泛的电压范围和应用领域而设计。
如需了解更多信息，请访问 www.idealsemi.com
编者按
超级结（又称 RESURF）架构于 1978 年首次提出，并于 1980 年申请了专利。首款商用器件于 1998 年推出。
关于 iDEAL Semiconductor
iDEAL Semiconductor Devices, Inc. 是业界领先的下一代硅功率器件开发商。
该公司成立时的使命是突破人们对硅技术的固有认知。其获得专利的SuperQ技术利用传统的CMOS工艺实现了能效的突破性提升——同时保留了硅技术久经考验的优势。
该平台技术适用于广泛的产品、应用和半导体材料，专为降低各类应用中的功耗而设计，并将为下一代提供更环保的能源使用方案。
iDEAL 总部位于宾夕法尼亚州的利哈伊谷，如需了解更多信息，请访问 idealsemi.com。