作者 iDEAL Semiconductor | 7 月 29, 2026 | 新闻
宾夕法尼亚州利哈伊谷，2025年7月17日——iDEAL Semiconductor公司的SuperQ®技术已进入全面量产阶段，首批产品为150 V MOSFET。200 V MOSFET产品系列目前正在提供样品。 SuperQ 是硅 MOSFET 设计领域在超过四分之一世纪以来取得的首次重大突破，为硅功率器件带来了无与伦比的性能和效率。 该架构突破了硅材料在开关和导通方面的根本性限制。它将 n 型导通区面积几乎扩大了一倍（最高可达 95%），并与同类器件相比，将开关损耗降低了多达 2.1 倍。...
作者 iDEAL Semiconductor | 7 月 29, 2026 | 新闻
突破性的SuperQ技术标志着自25多年前超级结技术问世以来，硅MOSFET架构领域的首次重大进步。 宾夕法尼亚州利哈伊谷，2025年7月24日——专注于实现突破性能效的无晶圆厂功率半导体公司iDEAL Semiconductor宣布，已与Mouser Electronics签署了一项全球分销协议。 该协议涉及iDEAL的功率器件，这些器件基于该公司创新的、已获专利的、最先进的SuperQ技术。 与传统的超结架构相比，SuperQ...
作者 iDEAL Semiconductor | 7 月 29, 2026 | 新闻
此前，首款基于SuperQ技术的芯片已正式发布，这标志着自25多年前超级结技术问世以来，硅MOSFET架构取得的首次重大突破。 宾夕法尼亚州利哈伊谷，2025年7月31日——专注于实现效率突破的无晶圆厂功率半导体公司iDEAL Semiconductor宣布，将与电源和射频领域专家理查森电子（Richardson Electronics）建立合作伙伴关系。...
作者 iDEAL Semiconductor | 7 月 29, 2026 | 新闻
宾夕法尼亚州利哈伊谷，2025年9月4日——iDEAL Semiconductor宣布，其基于SuperQ®技术的200 V系列MOSFET中的首款产品已进入量产阶段，另有四款200 V器件目前正在提供样品。 SuperQ 是硅 MOSFET 技术 25 多年来首次取得重大突破，突破了开关和导通性能方面的长期限制。它在保持硅材料核心优势——坚固耐用、可大规模量产以及在 175 °C 条件下经过验证的可靠性——的同时，实现了性能和效率的飞跃式提升。 首款实现量产的200 V器件iS20M028S1P是一款采用TO-220封装的25...
作者 iDEAL Semiconductor | 7 月 29, 2026 | 新闻
宾夕法尼亚州利哈伊谷，2025年9月18日——iDEAL Semiconductor确认，其超高效SuperQ®硅功率器件目前已在Polar Semiconductor投产。Polar Semiconductor是一家专注于高压、功率和传感器技术的领先代工厂。 SuperQ 是 25 多年来硅 MOSFET 架构领域的首次重大创新。凭借其获得专利的非对称 RESURF 结构，该产品显著降低了导通损耗和开关损耗——与传统硅器件相比，电阻降低了多达 2.7 倍，与竞品相比，开关损耗降低了多达 2.1 倍。 Polar...
