新型 150V/2.5mΩ 器件具备业界领先的短路抗扰能力，可使 72V 及以上电池管理系统中的元器件数量减少多达 50%
宾夕法尼亚州利哈伊谷， 2025年11月20日——高性能功率硅领域领导者iDEAL Semiconductor今日宣布推出其SuperQ® MOSFET技术，该技术专为解决高压（72V及以上）电池管理系统（BMS）中关键的安全性与效率权衡问题而设计。 该新平台为短路耐受能力（SCWC）树立了行业标杆，这是BMS放电开关最重要的安全指标。
随着高压电池组在电动汽车、无人机和专业电动工具中的广泛应用，一个风险极高的挑战应运而生：在发生外部短路事件时，电流可能骤升至数千安培，必须防止电池组发生灾难性故障。在这些极端条件下，放电MOSFET是唯一负责隔离电池组的元件。
“在高能量密度电池组中，可靠性是不可妥协的。传统MOSFET设计不得不权衡两点：一方面要实现超低的RDS(on)以提高效率，另一方面又要具备抵御巨大短路电流所需的结构完整性，”iDEAL Semiconductor设计副总裁Phil Rutter博士表示。 “SuperQ® 平台消除了这种权衡。我们专有的单元结构不仅实现了市场上最低的导通电阻，还具备无与伦比的安全裕度，让设计人员能够充满信心地打造更小、更可靠且成本更低的电池系统。”
1.4倍的卓越短路耐受电流
iDEAL Semiconductor 的内部测试证明了 SuperQ 具有显著的性能优势。将 iS15M2R5S1T（150V、2.5mΩ、TOLL 封装）与一家领先竞争对手的产品进行直接对比后发现：
| 公司 / 产品 | 电压 | RDS(开启) | SCWC（峰值） |
| iDEAL SuperQ® (iS15M2R5S1T) | 150V | 2.5mΩ | 800A |
| 主要竞争对手 | 150V | 2.5mΩ | 580A |
SuperQ 器件的短路耐受能力比其最接近的竞争对手高出 1.4 倍。这一突破性性能得益于其专有的电池结构，该结构具有更宽的导电区域，可在极端应力条件下最大限度地提高功率密度和结构完整性。
降低系统成本并提高可靠性
对于电池组设计人员而言，这种卓越的SCWC性能直接转化为系统层面的优势：
- 元器件数量减少：由于每台 SuperQ 设备能够承受显著更高的短路电流，因此设计人员在满足相同安全要求的情况下，可将并联使用的 MOSFET 数量减少多达 50%。
- 成本节约：减少元器件数量和降低设计复杂度，可大幅降低物料清单（BOM）的总成本，并简化电路板布局。
- 效率：保持2.5mΩ的超低RDS(on)值，可将导通损耗降至最低，从而延长电池续航时间并降低热管理需求。
SuperQ 产品系列现已上市，涵盖最高 200V 的设备，可为 72V 至 144V 以上的电池平台提供解决方案。
如需了解更多详情以及关于其在电池管理系统中应用的白皮书，请访问 https://idealsemi.com/battery-management/。
关于 iDEAL Semiconductor
iDEAL Semiconductor Devices, Inc. 是业界领先的下一代硅功率器件开发商。
该公司成立时的使命是突破人们对硅材料的固有认知。其获得专利的SuperQ技术利用传统的CMOS工艺实现了能效的突破性提升——同时保留了硅材料久经考验的优势。
该平台技术适用于广泛的产品、应用和半导体材料，专为降低各类应用中的功耗而设计，并将为下一代提供更环保的能源使用方案。
iDEAL 总部位于宾夕法尼亚州的利哈伊谷，如需了解更多信息，请访问 www.idealsemi.com
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：艾玛·詹金斯
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