作者 iDEAL Semiconductor | 7 月 29, 2026 | 新闻
宾夕法尼亚州利哈伊谷，2025年10月23日——iDEAL Semiconductor今日宣布，其SuperQ®技术已通过AEC-Q101汽车认证，标志着该公司向高可靠性市场迈出了重要一步。 iDEAL首款通过汽车级认证并投入量产的产品iS20M028S1CQ是一款200 V MOSFET，其导通电阻（RDSon）为25 mΩ，额定工作温度为175°C。 SuperQ 代表了硅 MOSFET 领域的突破性进展，在保持硅材料固有的坚固性和可靠性的同时，实现了更高的效率、更低的开关损耗以及更强的导通性能。 此次认证彰显了 SuperQ...
作者 iDEAL Semiconductor | 7 月 29, 2026 | 新闻
新型 150V/2.5mΩ 器件具备业界领先的短路抗扰能力，可使 72V 及以上电池管理系统中的元器件数量减少多达 50% 宾夕法尼亚州利哈伊谷， 2025年11月20日——高性能功率硅领域领导者iDEAL Semiconductor今日宣布推出其SuperQ® MOSFET技术，该技术专为解决高压（72V及以上）电池管理系统（BMS）中关键的安全性与效率权衡问题而设计。 该新平台为短路耐受能力（SCWC）树立了行业标杆，这是BMS放电开关最重要的安全指标。...
作者 iDEAL Semiconductor | 7 月 29, 2026 | 新闻
新款 SuperQ® 200V MOSFET 在多种行业标准功率封装中实现了业界最低的 RDS(on)。 宾夕法尼亚州利哈伊谷，2026年3月——iDEAL Semiconductor宣布扩展其SuperQ® 200V MOSFET产品组合，在最广泛使用的功率半导体封装中实现了业界领先的导通电阻。 iS20M5R5S1T作为业界RDS(on) 200V MOSFET，树立了新标杆；而新推出的 iS20M6R3S1P 则在 TO-220 封装中实现了 200V MOSFET 的最低 RDS(on)。...
作者 iDEAL Semiconductor | 7 月 29, 2026 | 新闻
SuperQ® 硅功率 MOSFET 现已通过 DigiKey 的分销平台在全球范围内供应。 宾夕法尼亚州利哈伊谷，2026年3月24日——基于其专利SuperQ®技术开发新一代硅功率器件的iDEAL Semiconductor公司，今日宣布与全球领先的电子元器件分销商之一DigiKey达成全球分销协议。 根据协议，DigiKey 将分销 iDEAL 不断扩大的高效硅 MOSFET 产品组合，该系列产品旨在利用传统的 CMOS 制造工艺实现更低的导通损耗和开关损耗。此次合作使客户能够通过 DigiKey...
作者 iDEAL Semiconductor | 7 月 29, 2026 | 博客
在讨论功率半导体可靠性时，人们通常会提及认证检查清单和标准化应力测试。通过JEDEC认证等行业基准测试是必要的一步，但仅凭这一点并不能完全反映器件在实际应用中的性能表现。 无论是电机驱动、电池管理还是电源转换，实际应用中的系统都运行在动态且往往极其严苛的环境中，这些条件远超出标准化假设的范围。对于设计这些系统的工程师而言，对器件可靠性的信心不仅源于合规性，更源于其在反映实际使用条件的环境下所展现出的鲁棒性。 SuperQ® 功率 MOSFET...
