iS25M035S1C

250V，35mΩ，39A N沟道 MOSFET

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Features

• 业界领先的RDS(on)，采用PDFN封装（5x6）
• 高短路耐受能力（SCWC）
• 100% UIS 已通过量产测试，175°C 额定值
• 低开关损耗，QSW 和 EOSS
• 更易并联，+0.5V 栅极阈值

• 隔离式DC-DC模块
• LED照明
• 升压转换器和SMPS
控制 FETs
• 电机驱动

Parameter T_A = 25°C unless otherwise noted	Value	Unit
V_DS	250	V
R_DS(on) max	35	mΩ
I_D	39	A
I_DM	143	A
Q_G	28	nC
Q_SW	2.7	nC
E_OSS	1.4	μJ
V_GS	± 20	V
V_GS(th)	0.6	V
P_D	125	W
T_J,T_stg	-55 to 175	°C
E_AS	39	mJ
R_θJC	1.2	°C/W

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