iS20M8R8S1C

200V, 8.8mΩ, 113A N-Channel MOSFET

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Features

特性

• 封装内导通电阻最低的 RDS(on)
• 针对硬开关优化设计的 QSW
• 储能极低的 EOSS
• 超低关断能量,EOFF
• 低反向恢复时间,trr 和 Qrr

Applications

应用

  • 升压转换器和开关电源(SMPS)控制场效应管(FET)
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制
  • D类音频
Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 8.8
ID 113 A
IDM 308 A
QG 58 nC
QSW 3 nC
EOSS 1.8 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.4 V
PD 250 W
TJ,Tstg -55 to 175 °C
EAS 343 mJ
RθJC 0.6 °C/W
申请样品

该器件目前处于样品阶段。
申请样品以开始评估。

Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 8.8
ID 113 A
IDM 308 A
QG 58 nC
QSW 3 nC
EOSS 1.8 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.4 V
PD 250 W
TJ,Tstg -55 to 175 °C
EAS 343 mJ
RθJC 0.6 °C/W
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