iS20M8R0S1TC

200V, 8mΩ, 132A N-Channel MOSFET

TOLT package diagram
TOLT
iS20M8R0S1TC 的库存
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Features

特性

• 采用TOLT封装、额定工作温度为175°C的低功耗RDS(on)
• 高短路耐受能力 (SCWC)
• 生产过程中经过 100% UIS 测试
• 开关损耗低,QSW 和 EOSS
• 栅极阈值在 ±0.5V 范围内,并联更便捷

Applications

应用

  • 电机控制
  • 升压转换器和开关电源(SMPS)控制场效应管(FET)
  • 次级侧同步整流器
Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 8
ID 132 A
IDM 489 A
QG 75 nC
QSW 4.9 nC
EOSS 2.9 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.5 V
PD 333 W
TJ,Tstg -55 to 175 °C
EAS 373 mJ
RθJC 0.45 °C/W
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Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 8
ID 132 A
IDM 489 A
QG 75 nC
QSW 4.9 nC
EOSS 2.9 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.5 V
PD 333 W
TJ,Tstg -55 to 175 °C
EAS 373 mJ
RθJC 0.45 °C/W
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