iS20M8R0S1B

200V, 8.2mΩ, 115A N-Channel MOSFET

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Features

• 采用 D2PAK-3L 封装、额定工作温度为 175°C 的低功耗 R_DS(on)
• 高短路耐受能力 (SCWC)
• 生产过程中经过 100% UIS 测试
• 低开关损耗，Q_SW 和 E_OSS
• 栅极阈值在 ±0.5V 范围内，便于并联

Parameter T_A = 25°C unless otherwise noted	Value	Unit
V_DS	200	V
R_DS(on) max	8.2	mΩ
I_D	115	A
I_DM	458	A
Q_G	74	nC
Q_SW	4.9	nC
E_OSS	3.0	μJ
V_GS	± 20	V
V_GS(th)	3.6	V
P_D	250	W
T_J,T_stg	-55 to 175	°C
E_AS	176	mJ
R_θJC	0.6	°C/W

该器件目前处于样品阶段。
申请样品以开始评估。

Parameter T_A = 25°C unless otherwise noted	Value	Unit
V_DS	200	V
R_DS(on) max	8.2	mΩ
I_D	115	A
I_DM	458	A
Q_G	74	nC
Q_SW	4.9	nC
E_OSS	3.0	μJ
V_GS	± 20	V
V_GS(th)	3.6	V
P_D	250	W
T_J,T_stg	-55 to 175	°C
E_AS	176	mJ
R_θJC	0.6	°C/W

该器件目前处于样品阶段。
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