iS20M6R3S1P

200V, 6,3mΩ, 172A N-Channel MOSFET

TO-220 package diagram
TO-220
iS20M6R3S1P 的库存
供应商 零件编号 制造商 库存 链接
Mouser Electronics 25-IS20M6R3S1P iDEAL Semiconductor 97 View
DigiKey 6500-IS20M6R3S1P-ND iDEAL Semiconductor 923 View
Richardson Electronics iS20M6R3S1P iDEAL Semiconductor 1000 View

Features

特性

• 采用 TO-220 封装,具有业界领先的 RDS(on) 值
• 高短路耐受能力 (SCWC)
• 生产过程中 100% 通过 UIS 测试
• 低开关损耗,QSW 和 EOSS
• 栅极阈值±0.5V,并联更便捷

Applications

应用

  • 电机控制
  • 升压转换器和开关电源(SMPS)控制场效应管(FET)
  • 次级侧同步整流器
Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 6.3
ID 172 A
IDM 640 A
QG 105 nC
QSW 8.3 nC
EOSS 4.0 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.5 V
PD 428 W
TJ,Tstg -55 to 175 °C
EAS 465 mJ
RθJC 0.35 °C/W
Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 6.3
ID 172 A
IDM 640 A
QG 105 nC
QSW 8.3 nC
EOSS 4.0 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.5 V
PD 428 W
TJ,Tstg -55 to 175 °C
EAS 465 mJ
RθJC 0.35 °C/W

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