iS20M5R5S1TC

200V, 5.5mΩ, 151A N-Channel MOSFET

iS20M5R5S1TC 的库存
供应商	零件编号	制造商	库存	链接
未找到有库存的供应商报价。

Features

• 采用 TOLT 封装的业界领先 R_DS(on) 器件
• 高短路耐受电流 (SCWC)
• 量产过程中均经过 100% UIS 测试
• 开关损耗低，Q_SW 和 E_OSS
• 栅极阈值±0.5V，并联更便捷

Parameter T_A = 25°C unless otherwise noted	Value	Unit
V_DS	200	V
R_DS(on) max	5.5	mΩ
I_D	151	A
I_DM	538	A
Q_G	113	nC
Q_SW	7.5	nC
E_OSS	4.0	μJ
V_GS	± 20	V
V_GS(th)	0.5	V
P_D	314	W
T_J,T_stg	-55 to 175	°C
E_AS	1662	mJ
R_θJC	0.5	°C/W

该器件目前处于样品阶段。
申请样品以开始评估。

Parameter T_A = 25°C unless otherwise noted	Value	Unit
V_DS	200	V
R_DS(on) max	5.5	mΩ
I_D	151	A
I_DM	538	A
Q_G	113	nC
Q_SW	7.5	nC
E_OSS	4.0	μJ
V_GS	± 20	V
V_GS(th)	0.5	V
P_D	314	W
T_J,T_stg	-55 to 175	°C
E_AS	1662	mJ
R_θJC	0.5	°C/W

该器件目前处于样品阶段。
申请样品以开始评估。