iS20M016S1P

SuperQ 200V N沟道功率MOSFET

TO-220 package diagram
TO-220
iS20M016S1P 的库存
供应商 零件编号 制造商 库存 链接
未找到有库存的供应商报价。

Features

特性

TO-220封装中具有低RDS(on)
高短路耐受能力
(SCWC)
100% UIS 已通过量产测试
低开关损耗,QSW 和 EOSS
±0.5V栅极阈值容差,便于并联

Applications

应用

电机控制
升压转换器和SMPS

控制 FETs
D类音频
电池管理系统

Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 16 mΩ
ID 62 A
IDM 228 A
QG 29 nC
QSW 3 nC
EOSS 1.5 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.0 V
PD 150 W
TJ,Tstg 175 °C
EAS 209 mJ
RθJC 1 °C/W
联系我们

工程师咨询