iS20M016S1C

SuperQ 200V N沟道功率MOSFET

PDFN 5x6 package diagram
PDFN 5x6
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Features

特性

• PDFN中RDS(on)值较低 5x6 封装
• 短路耐受能力强(SCWC)
• 已通过量产测试 100% UIS
• 开关损耗低,QSW 和 EOSS
• 门极阈值公差为±0.5V,便于并联

Applications

应用

• 电机控制
• 升压转换器和SMPS

• 控制 FETs
• D类音频
• 电池管理系统

Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 16 mΩ
ID 62 A
IDM 228 A
QG 29 nC
QSW 3 nC
EOSS 1.5 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.0 V
PD 150 W
TJ,Tstg -55 to 175 °C
EAS 209 mJ
RθJC 1 °C/W
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