iS20M016S1B

SuperQ 200V N-Channel Power MOSFET

D2PAK-3L package diagram
D2PAK-3L
iS20M016S1B 的库存
供应商 零件编号 制造商 库存 链接
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Features

特性

D2PAK-3L封装,RDS(on)值低
短路耐受能力(SCWC)高
生产过程中经过100% UIS测试
开关损耗、QSW和EOSS值低
栅极阈值容差为±0.5V,便于并联

Applications

应用

电机控制
升压转换器和开关电源控制场效应管(FET)
D类音频
电池管理系统

Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 16
ID 62 A
IDM 228 A
QG 29 nC
QSW 3 nC
EOSS 1.5 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3 V
PD 150 W
TJ,Tstg 175 °C
EAS 209 mJ
RθJC 1 °C/W
联系我们
Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 16
ID 62 A
IDM 228 A
QG 29 nC
QSW 3 nC
EOSS 1.5 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3 V
PD 150 W
TJ,Tstg 175 °C
EAS 209 mJ
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