iS20L8R8S1C

SuperQ 200V N沟道功率MOSFET

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Features

特性

• 业界领先的导通电阻,RDS(on)
• 针对5V栅极驱动优化的逻辑电平栅极阈值
• 通过最低的QSW和储能,EOSS,降低了开关损耗
• 低反向恢复时间,Trr和Qrr

Applications

应用

• 采用5V栅极驱动的同步整流
• USB Power Delivery
• 交流/直流适配器

Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 200 V
RDS(on) max 8.8 mΩ
ID 112 A
IDM 364 A
QG 58 nC
QSW 3 nC
EOSS 1.8 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 1.8 V
PD 208 W
TJ,Tstg 150 °C
EAS 343 mJ
RθJC 0.6 °C/W
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