iS15M3R4S1F

SuperQ 150V N沟道功率MOSFET

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Features

特性

ITO-220封装,具有低RDS(on)
高短路耐受能力(SCWC)
生产过程中100%通过UIS测试
低开关损耗、QSW和EOSS
工业级,结温高达175°C

Applications

应用

太阳能逆变器
升压转换器和开关电源(SMPS)控制场效应管(FET)
次级侧同步整流器
电机控制

Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 150 V
RDS(on) max 3.4 mΩ
ID 75 A
IDM 298 A
QG 88 nC
QSW 8.9 nC
EOSS 1.7 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.3 V
PD 43 W
TJ,Tstg 175 °C
EAS 450 mJ
RθJC 3.5 °C/W
申请样品

该器件目前处于样品阶段。
申请样品以开始评估。

Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 150 V
RDS(on) max 3.4 mΩ
ID 75 A
IDM 298 A
QG 88 nC
QSW 8.9 nC
EOSS 1.7 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.3 V
PD 43 W
TJ,Tstg 175 °C
EAS 450 mJ
RθJC 3.5 °C/W
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