iS15L6R0S1C

SuperQ 150V N-Channel Power MOSFET with Logic Level

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PDFN 5x6
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Features

特性

低导通电阻
N沟道,逻辑电平阈值
超低储能
更短的反向恢复时间 Trr 和 Qrr
生产过程中经过 100% UIS 测试

Applications

应用

5V栅极驱动的同步整流
开关电源控制场效应管(FET)
电机控制

Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 150 V
RDS(on) max 6
ID 126 A
IDM 435 A
QG 48 nC
QSW 4.9 nC
EOSS 1 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 1.8 V
PD 208 W
TJ,Tstg 150 °C
EAS 641 mJ
RθJC 0.6 °C/W
申请样品

该器件目前处于样品阶段。
申请样品以开始评估。

Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 150 V
RDS(on) max 6
ID 126 A
IDM 435 A
QG 48 nC
QSW 4.9 nC
EOSS 1 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 1.8 V
PD 208 W
TJ,Tstg 150 °C
EAS 641 mJ
RθJC 0.6 °C/W
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