| 供应商 | 零件编号 | 制造商 | 库存 | 链接 |
|---|---|---|---|---|
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Features
特性
• PDFN 5x6 封装中具有低RDS(on)
• N沟道，逻辑电平阈值
• 超低存储能量 EOSS
• 100% UIS 已通过量产测试
Applications
应用
• 采用5V栅极驱动的同步整流
• SMPS 控制 FETs
| Parameter TA = 25°C unless otherwise noted | Value | Unit |
|---|---|---|
| VDS | 150 | V |
| RDS(on) max | 5.5 | mΩ |
| ID | 134 | A |
| IDM | 434 | A |
| QG | 53 | nC |
| QSW | 5.4 | nC |
| EOSS | 1.1 | μJ |
| VGS | ± 20 | V |
| VGS(th) | 20 | V |
| PD | 208 | W |
| TJ,Tstg | -55 to 150 | °C |
| EAS | 641 | mJ |
| RθJC | 0.6 | °C/W |
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