iS20M8R0S1T

200V, 8mΩ, 109A N-Channel MOSFET

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Features

• 采用TOLL封装、额定工作温度为175°C的低功耗R_DS(on)
• 高短路耐受能力 (SCWC)
• 生产过程中经过 100% UIS 测试
• 开关损耗低，Q_SW 和 E_OSS
• 栅极阈值为 ±0.5V，并联更便捷

Parameter T_A = 25°C unless otherwise noted	Value	Unit
V_DS	200	V
R_DS(on) max	8	mΩ
I_D	109	A
I_DM	389	A
Q_G	76	nC
Q_SW	5.2	nC
E_OSS	2.9	μJ
V_GS	± 20	V
V_GS(th)	2.5	V
P_D	242	W
T_J,T_stg	-55 to 175	°C
E_AS	678	mJ
R_θJC	0.62	°C/W

该器件目前处于样品阶段。
申请样品以开始评估。

Parameter T_A = 25°C unless otherwise noted	Value	Unit
V_DS	200	V
R_DS(on) max	8	mΩ
I_D	109	A
I_DM	389	A
Q_G	76	nC
Q_SW	5.2	nC
E_OSS	2.9	μJ
V_GS	± 20	V
V_GS(th)	2.5	V
P_D	242	W
T_J,T_stg	-55 to 175	°C
E_AS	678	mJ
R_θJC	0.62	°C/W

该器件目前处于样品阶段。
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