iS20M3R9S1TC

200V, 3.9mΩ, 191A N-Channel MOSFET

iS20M3R9S1TC 的库存
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Features

• 采用 TOLT 封装的业界领先 R_DS(on) 器件
• 高短路耐受电流 (SCWC)
• 量产过程中均通过 100% UIS 测试
• 低开关损耗，Q_SW 和 E_OSS
• 175°C 工业级温度等级

Parameter T_A = 25°C unless otherwise noted	Value	Unit
V_DS	200	V
R_DS(on) max	3.9	mΩ
I_D	191	A
I_DM	560	A
Q_G	133	nC
Q_SW	7.3	nC
E_OSS	4.1	μJ
V_GS	± 20	V
V_GS(th)	3.4	V
P_D	314	W
T_J,T_stg	-55 to 175	°C
E_AS	788	mJ
R_θJC	0.5	°C/W

该器件目前处于样品阶段。
申请样品以开始评估。

Parameter T_A = 25°C unless otherwise noted	Value	Unit
V_DS	200	V
R_DS(on) max	3.9	mΩ
I_D	191	A
I_DM	560	A
Q_G	133	nC
Q_SW	7.3	nC
E_OSS	4.1	μJ
V_GS	± 20	V
V_GS(th)	3.4	V
P_D	314	W
T_J,T_stg	-55 to 175	°C
E_AS	788	mJ
R_θJC	0.5	°C/W

该器件目前处于样品阶段。
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