iS15M3R4S1P

150V, 3.4mΩ, 182A N-Channel MOSFET

TO-220 package diagram
TO-220
iS15M3R4S1P 的库存
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Features

特性

• 低功耗 RDS(on),采用 TO-220 封装
• 高短路耐受能力 (SCWC)
• 生产过程中经过 100% UIS 测试
• 低开关损耗,QSW 和 EOSS
• 工业级规格,结温高达 175°C

Applications

应用

  • 电机控制
  • 升压转换器和开关电源(SMPS)控制场效应管(FET)
  • 次级侧同步整流器
Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 150 V
RDS(on) max 3.4
ID 182 A
IDM 729 A
QG 88 nC
QSW 8.9 nC
EOSS 1.7 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.3 V
PD 250 W
TJ,Tstg -55 to 175 °C
EAS 450 mJ
RθJC 0.6 °C/W
联系我们
Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Value Unit
VDS 150 V
RDS(on) max 3.4
ID 182 A
IDM 729 A
QG 88 nC
QSW 8.9 nC
EOSS 1.7 μJ
VGS ± 20 V
VGS(th) 3.3 V
PD 250 W
TJ,Tstg -55 to 175 °C
EAS 450 mJ
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