该技术突破了制约硅技术发展的瓶颈，为客户提供效率更高、体积更小且更具成本效益的产品
宾夕法尼亚州利哈伊谷，2023年5月16日 /美通社/ — 专注于实现突破性能效的无晶圆厂半导体公司iDEAL Semiconductor今日宣布，其获得专利的SuperQ技术现已全面上市。 SuperQ技术可降低包括数据中心、电动汽车、太阳能电池板、电机驱动、医疗设备和白色家电在内的众多应用中的功耗。其卓越的能效有助于减少碳足迹，推动更可持续的未来。
iDEAL的工程师和科学家们重新设计了功率器件架构，使性能实现了阶跃式提升。该技术基于硅材料——其占全球半导体制造产能的95%——并且与未来的功率半导体材料具有前向兼容性。
在过去的二十年里，功率半导体的基本结构创新有限，硅功率器件的性能已趋于平稳。 为进一步提升性能，业界更多地将目光投向了新材料，而非拓展硅材料的极限。通过在原子层面的科学研究和工程实践，iDEAL Semiconductor 开创了一种新型架构，不仅开辟了性能提升的新疆界，更打破了“硅材料发展已走到尽头”的行业固有观念。
“iDEAL Semiconductor 是少数几家同时专注于功率器件制造工艺和架构的公司之一。 我们在硅材料领域的技术突破可与其他材料提供的改进相媲美，同时兼具硅材料在可制造性、可获得性和可靠性方面的优势，”iDEAL Semiconductor首席执行官兼联合创始人马克·格拉纳汉（Mark Granahan）表示。“通过与美国应用材料公司（Applied Materials）和Polar Semiconductor的合作，我们实现了此前难以想象的性能提升。 我们不局限于特定材料，致力于满足对功率器件日益增长的需求。随着全球目前正积极推动更绿色的未来，我们非常激动能为提高产品的可持续性发挥作用，同时展示对美国半导体行业的投资所能取得的成就。”
SuperQ 通过原子级别的科学与工程技术，实现了创纪录的单位面积电阻（RSP）。 该技术最初针对高达 850 伏 (V) 的电压，为系统工程师提供了性能更优的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和集成电路 (IC)。 例如，基于 SuperQ 的 200V MOSFET 的电阻比现有的硅器件低 6 倍，比 GaN 低 1.6 倍。采用 SuperQ 技术设计的电机驱动逆变器可节省高达 50% 的功耗。 该技术采用最先进的互补金属氧化物半导体（CMOS）设备进行制造。
此次发布紧随C轮融资之后，使总融资额超过7500万美元。iDEAL的投资者包括总部位于美国的高净值家族办公室以及致力于推动国内半导体产业发展的事业有成企业家。 借助这笔资金，iDEAL Semiconductor 正大力扩大招聘规模、推进产品线拓展，并提升在美国的制造产能。
如需了解更多信息，请访问 www.idealsemi.com。
关于 iDEAL Semiconductor
iDEAL Semiconductor Devices, Inc. 于 2017 年在利哈伊谷成立，是一家行业领先的下一代硅功率器件开发商。 其产品采用一种名为SuperQ®的创新半导体技术开发，该技术基于一项新发现的现象，能够利用传统的CMOS制造工艺实现半导体能效的显著提升。这一平台技术适用于广泛的产品、应用和半导体材料，专为降低各类应用中的功耗而设计，并将为下一代提供更环保的能源使用方案。
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