Application Notes

本应用笔记探讨了传统开关损耗定义在应用于低表面电场MOSFET时存在的局限性。文中提出了一种修订后的方法，该方法能准确反映此类器件的电容-电压特性，并通过实测的开关损耗数据得到了验证。

本应用笔记为半桥MOSFET电路提供了实用的原理图和PCB布局指南，重点探讨了在高频和并联配置下影响开关行为、电磁干扰（EMI）、效率以及器件应力的寄生效应。

本应用笔记介绍了一种针对硬开关半桥功率电路死区时间优化的实用方法。文中提出了一种基于体二极管导通时间的、以测量为依据的调谐方法。

本应用笔记提供了一种用于设计反激式转换器中RCD缓冲钳位电路的实用方法。文中推导了钳位电压、漏电流衰减和缓冲器功耗的相关方程，并说明了如何选择缓冲电阻，以平衡MOSFET的电压应力与钳位损耗。

本用户指南介绍了一种用于评估半桥MOSFET功率电路中死区时间波动的统计与最坏情况分析工具。该指南涵盖了基础方程、参数公差、蒙特卡洛仿真方法，以及在MATLAB®或GNU Octave中的实际实现，旨在帮助设计人员在优化死区时间裕度的同时，最大限度地降低穿通风险、开关损耗和过冲。