Application Notes
为在实际电源设计中使用 SuperQ® MOSFETs 提供实用设计指导——涵盖选型、布局、开关特性、散热与可靠性。
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AN001 – 优化开关充电间隔以减少功率损耗
本应用笔记探讨了传统开关损耗定义在应用于低表面电场MOSFET时存在的局限性。文中提出了一种修订后的方法，该方法能准确反映此类器件的电容-电压特性，并通过实测的开关损耗数据得到了验证。
Last Updated: September 2025
