Application Notes

本应用笔记介绍了一种针对硬开关半桥功率电路死区时间优化的实用方法。文中提出了一种基于体二极管导通时间的、以测量为依据的调谐方法。

本用户指南介绍了一种用于评估半桥MOSFET功率电路中死区时间波动的统计与最坏情况分析工具。该指南涵盖了基础方程、参数公差、蒙特卡洛仿真方法，以及在MATLAB®或GNU Octave中的实际实现，旨在帮助设计人员在优化死区时间裕度的同时，最大限度地降低穿通风险、开关损耗和过冲。